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还在为寻找一颗既能节省空间又能高效工作的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP1045UCB4-7正是为您解忧的利器。它能在低至1.8V的驱动电压下高效导通，提供高达2.6A的强劲电流处理能力，同时其超低的导通电阻（仅50毫欧）能显著减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

这颗芯片专为空间受限的现代电子设备而生，采用超紧凑的X2-WLB0808表面贴装封装，能轻松融入高密度的PCB布局。无论是用于电源开关、负载切换还是电池管理电路，它都能让您的设计更加简洁、高效。选择DMP1045UCB4-7，就是选择了一种可靠、节能且节省空间的先进解决方案，助您轻松打造更具竞争力的产品。

• 型号:DMP1045UCB4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:Voltage Monitor
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 12V 2.6A X2-WLB0808
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.1 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:535 pF @ 6 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:530mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:Voltage Monitor
• 封装/外壳:4-XFBGA，WLBGA
• DMP1045UCB4-7，Diodes产品一站式供应商。