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还在为复杂的双路电源控制电路占用大量空间而烦恼吗？DMP1055UFDB-7为您提供了一站式的高效解决方案。这颗双P沟道MOSFET阵列，将两个性能优异的12V/3.9A开关集成在微小的UDFN2020封装内，让您轻松实现紧凑的板级设计。

它凭借低至59毫欧的导通电阻和极低的栅极电荷，能显著降低开关损耗和传导损耗，从而提升系统整体能效，让您的设备运行更高效、更凉爽。无论是用于便携设备的电源分配，还是汽车电子中的负载切换，它都能可靠工作，助您简化设计、提升产品竞争力。

• 型号:DMP1055UFDB-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 12V 3.9A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:12V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.9A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:59 毫欧 @ 3.6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.8nC @ 8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1028pF @ 6V
• 功率 - 最大值:1.36W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（B 类）
• DMP1055UFDB-7，Diodes产品一站式供应商。