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您是否正在寻找一颗既能节省宝贵PCB空间，又能提供强劲可靠开关性能的MOSFET？DMP1055USW-13正是您的理想答案。这颗来自Diodes的P沟道MOSFET，拥有12V耐压和3.8A的连续电流能力，其低至48毫欧的导通电阻能显著降低开关损耗，让您的便携设备续航更持久，系统运行更凉爽。

它采用极致的SOT-363封装，让您能在最紧凑的空间内实现高效的负载开关、电源隔离或电机驱动。优异的电气参数，如低栅极电荷，确保快速响应，提升整体能效。无论是智能穿戴、移动电源还是物联网设备，它都能让您的设计更轻薄、性能更卓越。

• 型号:DMP1055USW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:48 毫欧 @ 3A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1028 pF @ 6 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:660mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-363
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• DMP1055USW-13，Diodes产品一站式供应商。