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您是否正在寻找一颗能显著提升电源管理效率的“智能开关”？DMP1070UCA3-7正是这样一颗专为高效能而生的P沟道MOSFET。它能为您做什么？核心就是让您的电路控制更精准、能耗更低、运行更可靠。

这颗芯片能在仅1.5V的低驱动电压下高效开启，轻松实现系统的快速响应与节能控制。其极低的导通电阻（70mΩ @ 4.5V）意味着在通过高达3.6A电流时，产生的热量和功率损耗微乎其微，直接让您的设备续航更长、发热更少。同时，超低的栅极电荷和输入电容确保了极高的开关速度，让电源切换干净利落，极大提升了整体系统效率。

无论是用于负载开关、电源路径管理，还是电池反接保护，DMP1070UCA3-7都能以卓越的电气性能和超紧凑的封装，助您轻松实现更高效、更小巧、更可靠的电路设计。

• 型号:DMP1070UCA3-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X4-DSN0607-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 12V 3.6A X4DSN0607-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70mOhm @ 400mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:950mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.45 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:-6V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:147 pF @ 6 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:710mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X4-DSN0607-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
• DMP1070UCA3-7，Diodes产品一站式供应商。