我们为全球各个行业提供Diodes DMP1080UCB4-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能兼顾小体积与大能量的功率开关吗？DMP1080UCB4-7正是为您而来的解决方案。这颗P沟道MOSFET拥有12V耐压和3.3A的连续电流能力，其核心魅力在于仅80毫欧的超低导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它采用先进的U-WLB1010-4超微型封装，为您节省宝贵的PCB空间，特别适合对尺寸有严苛要求的便携式和可穿戴设备。同时，其低至1.5V的驱动电压和极低的栅极电荷，让您能够轻松实现快速、高效的开关控制，有效延长电池寿命。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而精巧的“动力之心”。

• 型号:DMP1080UCB4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-WLB1010-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 12V 3.3A U-WLB1010-4
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 500mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:-6V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:350 pF @ 6 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:820mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-WLB1010-4
• 封装/外壳:4-UFBGA，WLBGA
• DMP1080UCB4-7，Diodes产品一站式供应商。