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您是否希望为紧凑型设备找到一颗“小身材、大能量”的电源开关核心？DMP1096UCB4-7正是您期待的答案。这颗P沟道MOSFET能在仅1.0mm x 1.0mm的微型空间内，为您高效管理高达2.6A的电流，其低至102毫欧的导通电阻能显著减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

它专为低电压（12V）场景优化，拥有极低的驱动电压和栅极电荷，让您能轻松搭配各类主控芯片，实现快速、精准的开关控制。无论是用于便携设备的电源路径管理，还是作为信号链路上的高效开关，它都能让您的设计更加简洁高效，性能更加稳定可靠。

• 型号:DMP1096UCB4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-WLB1010-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 12V 2.6A U-WLB1010-4
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:102 毫欧 @ 500mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.7 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:-5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:251 pF @ 6 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:820mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-WLB1010-4
• 封装/外壳:4-UFBGA，WLBGA
• DMP1096UCB4-7，Diodes产品一站式供应商。