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还在为寻找一款既能承受高压大电流，又兼具高效与紧凑的功率开关解决方案而烦恼吗？DMP10H400SE-13正是为您量身打造的答案。这颗100V P沟道MOSFET，能够轻松驾驭高达6A的连续电流，其优异的低导通电阻特性，能显著降低系统功耗与发热，让您的电源管理或负载开关设计效率倍增，运行更凉爽、更持久。

它采用热性能卓越的SOT-223封装，在节省宝贵PCB空间的同时，确保了出色的功率耗散能力。无论是快速切换负载，还是在-55°C至150°C的严苛温度范围内稳定工作，它都能游刃有余。选择DMP10H400SE-13，就是选择为您的产品注入一颗高效、可靠的心脏，让复杂的设计变得简单，让性能表现脱颖而出。

• 型号:DMP10H400SE-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.3A（Ta），6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1239 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），13.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• DMP10H400SE-13，Diodes产品一站式供应商。