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还在为高压侧开关的驱动复杂和效率损失而烦恼吗？DMP10H400SK3-13这颗100V/9A的P沟道MOSFET，就是为您简化设计、提升能效而生的利器。它让您无需额外电平转换电路，即可轻松用逻辑信号控制高压负载，大幅精简您的电路板布局。

其卓越的240毫欧低导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，将更多能量高效传递给您的设备，无论是用于电源转换、电机驱动还是负载开关，都能让系统运行更凉爽、更持久。高达42W的功率处理能力和宽广的工作温度范围，确保它在各种严苛环境下稳定可靠，是您打造高性能、高可靠性产品的坚实基石。

• 型号:DMP10H400SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 9A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:240 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1239 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:42W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMP10H400SK3-13，Diodes产品一站式供应商。