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还在为您的紧凑型设计寻找一颗既强悍又小巧的电源开关吗？DMP1200UFR4-7正是您的理想之选！这颗P沟道MOSFET能为您轻松实现高效的负载开关、电源路径管理和信号切换，让您的便携设备运行更持久、更可靠。

它拥有12V耐压和2A的电流处理能力，特别适合电池供电场景。其关键魅力在于超低的导通电阻（仅100mΩ @4.5V）和极低的驱动电压需求（最低1.5V），这意味着它能大幅减少功率损耗和发热，让您的系统能效显著提升。同时，其微型的DFN封装为您节省了至关重要的PCB空间，让设计更自由。

无论是智能穿戴设备、移动电源，还是物联网模块，DMP1200UFR4-7都能以出色的性能和极致的体积，帮助您打造出更具市场竞争力的产品，让高效节能变得如此简单。

• 型号:DMP1200UFR4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1010-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:514 pF @ 5 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:480mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN1010-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
• DMP1200UFR4-7，Diodes产品一站式供应商。