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还在为高电流应用的散热和空间布局头疼吗？DMP2003UPS-13就是为您量身打造的解决方案。这颗P沟道MOSFET拥有20V的耐压和高达150A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的2.2毫欧导通电阻，能显著降低功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它采用紧凑的PowerDI5060-8表面贴装封装，让您能在极其有限的空间内实现强大的功率切换。优化的开关参数（如栅极电荷）确保快速响应，提升整体电源转换效率。无论是用于负载开关、电机驱动还是电池保护电路，DMP2003UPS-13都能让您轻松应对高功率密度设计的挑战，是追求卓越性能工程师的理想选择。

• 型号:DMP2003UPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 150A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):150A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.2 毫欧 @ 25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:177 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8352 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMP2003UPS-13，Diodes产品一站式供应商。