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还在为寻找一颗能在紧凑空间内驾驭近百安培大电流的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP2005UFG-7正是您期待的解决方案。它拥有20V的漏源电压和高达89A的连续漏极电流，同时导通电阻低至惊人的4毫欧，这意味着它能以极高的效率处理大功率任务，显著减少能量损耗和发热，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

这颗芯片采用先进的PowerDI3333-8表面贴装封装，专为节省宝贵的PCB空间而优化。其优异的开关特性（如低栅极电荷）让您能够轻松设计出更高频率、更高效率的电源管理系统。无论是用于负载开关、电池保护还是电机驱动，DMP2005UFG-7都能提供稳定可靠的性能，助您轻松打造出更具市场竞争力的高性能产品。

• 型号:DMP2005UFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):89A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 15A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:125 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4670 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMP2005UFG-7，Diodes产品一站式供应商。