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还在寻找一颗能“扛大梁”又“省心”的P沟道MOSFET吗？DMP2006UFG-7就是您的理想答案。它能轻松驾驭高达40A（Tc）的峰值电流，同时凭借低至5.2毫欧的导通电阻，显著降低开关和传导损耗，让您的电源路径效率大幅提升，发热问题迎刃而解。

这颗芯片专为高效功率切换而优化。其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应更迅捷。无论是用于负载开关、电机驱动还是电池反接保护，它都能让您以更小的体积和更高的可靠性，实现更强大的功率控制功能，彻底释放您设计的潜能。

• 型号:DMP2006UFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.5A（Ta），40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.2 毫欧 @ 15A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:140 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5404 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMP2006UFG-7，Diodes产品一站式供应商。