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还在为电源路径中的开关损耗和散热问题头疼吗？让DMP2006UFGQ-13来为您分忧！这颗来自Diodes Incorporated的P沟道功率MOSFET，专为高效、可靠的负载开关和电源管理而设计。它能让您轻松驾驭高达40A的连续电流，同时凭借低至5.5毫欧的导通电阻，大幅减少能量损耗和发热，直接提升您的系统效率和电池续航。

它采用紧凑的PowerDI3333-8封装，却拥有出色的散热能力，让您的设计在保持小巧的同时运行更“冷静”。其优化的开关特性让驱动更轻松，响应更迅速。无论是汽车电子、工业设备还是高端消费类产品，选择它，就是为您的项目注入了高效与可靠的核心动力。

• 型号:DMP2006UFGQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.5A（Ta），40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 15A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:200 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7500 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta），41W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMP2006UFGQ-13，Diodes产品一站式供应商。