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还在为寻找一颗既能承受大电流又易于驱动的高效P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP2007UFG-13正是您的理想答案。这颗芯片能为您做什么？它将成为您电路中高效的“电子开关”，以超低的导通损耗（仅5.5毫欧）让您的电源路径更加畅通无阻，从而显著提升系统能效，减少发热，让设备运行更凉爽、更持久。

它让您的设计工作变得异常轻松。仅需2.5V的低驱动电压即可充分发挥其性能，极大简化了前级驱动电路的设计难度。同时，高达18A的连续电流处理能力和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保它在各种严苛应用场景下都能稳定可靠地工作。无论是用于负载开关、电池管理还是电机控制，它都能提供您所需的强大功率处理能力和卓越的可靠性。

• 型号:DMP2007UFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Ta），40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:85 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4621 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMP2007UFG-13，Diodes产品一站式供应商。