我们为全球各个行业提供Diodes DMP2018LFK-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能兼顾大电流、低损耗与迷你封装的P沟道MOSFET吗？DMP2018LFK-7正是为您而来的解决方案。它能在仅1.5V的低电压下高效开启，以16毫欧的超低导通电阻轻松应对高达9.2A的连续电流，显著减少功率损耗和发热，让您的设备运行更凉爽、更持久。

这颗芯片专为提升您的系统效率而生。其优化的开关特性帮助您实现更快的响应速度，而宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）则确保了它在各种严苛环境下的稳定表现。无论是用于空间紧张的便携设备，还是要求高效率的电源管理模块，DMP2018LFK-7都能让您的设计化繁为简，性能脱颖而出。

• 型号:DMP2018LFK-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2523-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 9.2A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 3.6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 200A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:113 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4748 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2523-6
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
• DMP2018LFK-7，Diodes产品一站式供应商。