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还在为电源路径上的损耗和发热烦恼吗？DMP2021UFDE-7 P沟道MOSFET就是您的高效解决方案。它能为您做什么？核心在于以极低的导通电阻（仅16毫欧）处理高达11.1A的电流，这意味着在电池供电设备、负载开关等应用中，它能大幅减少能量损耗，直接提升系统效率并降低温升，让您的设备运行更持久、更凉爽。

这颗芯片采用先进的U-DFN2020-6微型封装，为您节省宝贵的电路板空间，助力实现更轻薄的产品设计。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）和优化的栅极驱动特性，确保了在各种环境下的稳定性和易用性。选择它，就是选择让您的电源管理设计更轻松、更高效、更可靠。

• 型号:DMP2021UFDE-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 7A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:59 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2760 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
• DMP2021UFDE-7，Diodes产品一站式供应商。