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还在为寻找一颗既能承受大电流又足够小巧的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP2021UFDF-13正是您的答案。它能在高达20V的电压下，轻松驾驭9A的连续电流，其核心魅力在于仅16毫欧的超低导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

这颗芯片能为您做什么？它专为高效的空间受限型应用而设计。其U-DFN2020-6微型封装让您能在极其紧凑的电路板上实现强大的电源开关功能。无论是用于电池保护、负载开关还是电源路径管理，它都能确保高效率的能量传输。优异的开关特性（低栅极电荷）让您的系统切换更迅速，整体性能更加高效稳定。

• 型号:DMP2021UFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 7A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:59 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2760 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:730mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMP2021UFDF-13，Diodes产品一站式供应商。