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还在寻找一颗能兼顾大电流与微小封装的P通道MOSFET吗？DMP2021UFDF-7正是您的理想答案。这颗芯片能为您做什么？它能让您在仅2mm x 2mm的极小空间内，轻松驾驭高达9A的连续电流，其低至16毫欧的导通电阻（@7A，4.5V）能显著减少功率损耗，直接提升您设备的整体能效和续航时间。

无论是用于电池供电设备的负载开关、DC-DC转换器中的同步整流，还是电机驱动控制，DMP2021UFDF-7都能凭借其1.5V的低驱动电压和快速的开关特性，让您的设计更加高效、响应更为迅捷。其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了在各种苛刻环境下的稳定运行，为您产品的可靠性保驾护航。

• 型号:DMP2021UFDF-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 7A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:59 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2760 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:730mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMP2021UFDF-7，Diodes产品一站式供应商。