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DMP2021UTS-13 零件图片(仅供参考)

DMP2021UTS-13
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DMP2021UTS-13 规格参数

还在寻找一颗能兼顾高性能与高集成度的P通道MOSFET吗?DMP2021UTS-13正是为您而生的解决方案。它能让您轻松驾驭高达18A的连续电流,凭借低至16毫欧的导通电阻,显著降低开关损耗和发热,直接提升您产品的整体能效和可靠性。

这颗芯片采用紧凑的8-TSSOP封装,非常适合空间受限的现代电子设备。其宽广的工作温度范围(-55°C ~ 150°C)和1.8V的低驱动电压,让您的设计在各类应用场景中从消费电子到工业控制都能稳定高效地运行。选择DMP2021UTS-13,就是为您的电源管理、电机驱动或负载开关电路选择一个强大而可靠的心脏。

  • 型号:DMP2021UTS-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:8-TSSOP
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 20V 18A 8TSSOP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):16 毫欧 @ 4.5A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):59 nC @ 8 V
  • Vgs(最大值):±10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2760 pF @ 15 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):1.3W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-TSSOP
  • 封装/外壳:8-TSSOP(0.173\\
  • DMP2021UTS-13,Diodes产品一站式供应商。
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DMP2021UTS-13 基本参数:

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