我们为全球各个行业提供Diodes DMP2022LSSQ-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为复杂的电源开关设计而头疼吗？让DMP2022LSSQ-13来为您简化一切！这颗来自Diodes的P沟道MOSFET，是您实现高效、紧凑电源管理的得力助手。它能在高达9.3A的电流下稳定工作，同时凭借低至13毫欧的导通电阻，大幅降低导通损耗，直接为您提升系统能效，减少发热困扰。

更令人惊喜的是，它具备极低的驱动需求（栅极阈值电压最大仅1.1V）和优化的开关特性，让您的微控制器能够轻松、快速地控制它，实现高效节能的开关操作。无论是用于负载开关、电机驱动还是电源路径管理，它都能让您的设计响应更迅捷，运行更可靠。选择它，就是为您的产品选择了一份高效与稳定的保障。

• 型号:DMP2022LSSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 9.3A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2575 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 155°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMP2022LSSQ-13，Diodes产品一站式供应商。