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您是否正在为空间受限的设计寻找一颗既能“扛大电流”又“不占地方”的功率开关？DMP2023UFDF-7正是为您而来！这颗P沟道MOSFET能在仅2mm x 2mm的微型封装内，持续输送高达7.6A的电流，并以低至27毫欧的导通电阻大幅减少功率损耗，直接让您的设备跑得更久、发热更少。

它专为提升便携式设备的能效而生。无论是智能手机的负载管理、TWS耳机的充电保护，还是各类IoT设备的电源切换，DMP2023UFDF-7都能以极高的响应速度和稳定性完成任务。其宽泛的工作电压（驱动电压低至1.5V）和卓越的散热性能（730mW功率耗散），确保您在追求轻薄设计的同时，无需担忧性能与可靠性。选择它，就是为您的产品注入一颗高效而强健的“心脏”。

• 型号:DMP2023UFDF-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 7.6A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:27 毫欧 @ 7A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1837 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:730mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMP2023UFDF-7，Diodes产品一站式供应商。