还在为功率开关器件的尺寸和效率烦恼吗?DMP2033UVT-13正是为您而来的解决方案。这颗由Diodes Incorporated出品的P通道MOSFET,拥有20V的漏源电压和4.2A的强大电流承载能力,却能以微型TSOT-26封装呈现,让您在设计时彻底摆脱空间束缚。
它的核心价值在于“高效”。仅需1.8V的低驱动电压即可高效开启,而65毫欧的超低导通电阻能最大限度地减少功率损耗,直接为您带来更低的发热和更高的能源利用率。无论是用于电池供电设备的负载开关,还是电源管理模块中的功率路径控制,它都能让您的系统运行得更冷静、更持久。选择它,就是为您的产品选择了一颗强劲而高效的心脏。
- 型号:DMP2033UVT-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:TSOT-26
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):65 毫欧 @ 4.2A,4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):10.4 nC @ 4.5 V
- Vgs(最大值):±8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):845 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):1.2W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TSOT-26
- 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
- DMP2033UVT-13,Diodes产品一站式供应商。