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还在为寻找一颗既高效又节省空间的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP2035U-7正是您的理想答案。这颗芯片能在高达20V的电压下，轻松承载3.6A的连续电流，而其导通电阻在4.5V驱动时仅35毫欧，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更持久。

得益于其仅1.8V的最低驱动电压和优化的栅极电荷，它能被轻松驱动，实现快速、高效的开关动作。无论是用于电池供电设备的负载开关，还是空间紧凑的电机控制、电源转换电路，DMP2035U-7都能以SOT-23-3的极小身形，发挥出强大的性能，让您的设计在性能和体积上取得完美平衡。

• 型号:DMP2035U-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.4 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1610 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:810mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMP2035U-7，Diodes产品一站式供应商。