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还在为寻找一颗既能大电流开关又极致节省空间的P-MOSFET而烦恼吗？DMP2035UFDF-13就是您的理想答案！这颗芯片能为您做什么？它能让您的设计轻松驾驭高达8.1A的连续电流，凭借低至29毫欧的导通电阻，大幅降低功率损耗，提升整体能效，直接为您的终端产品带来更长的续航或更小的散热压力。

它专为20V以内的应用优化，拥有优异的开关特性。其低栅极电荷和电容让开关速度更快、损耗更小，特别适合高频开关电源、负载管理和电机驱动等场景。同时，超小的U-DFN2020-6封装为您释放宝贵的PCB空间，助力实现更紧凑、更时尚的产品设计。选择它，就是选择了一条高效、可靠且节省空间的性能升级捷径。

• 型号:DMP2035UFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 8.1A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29 毫欧 @ 6.4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1808 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.03W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMP2035UFDF-13，Diodes产品一站式供应商。