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在追求极致能效和迷你化的今天，您的便携设备是否还在为笨重的电源管理模块而烦恼？DMP2035UTS-13正是为您量身打造的答案。这颗由Diodes Incorporated出品的双P沟道MOSFET阵列，集成了两个逻辑电平门驱动的强大开关，让您能以极低的导通损耗（仅35毫欧）高效控制高达6A的电流，显著减少能量浪费，提升设备续航。

它采用超紧凑的8-TSSOP封装，能为您节省超过一半的PCB空间，让设计更自由，产品更轻薄。同时，其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了在各种环境下的稳定表现。选择它，您就获得了一个高集成度、高可靠性的电源管理核心，轻松应对从消费电子到工业控制的各种挑战。

• 型号:DMP2035UTS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-TSSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 P 沟道（双）共漏
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.04A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.4nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1610pF @ 10V
• 功率 - 最大值:890mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
• 供应商器件封装:8-TSSOP
• DMP2035UTS-13，Diodes产品一站式供应商。