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您是否正在寻找一颗能在紧凑空间内实现大电流高效控制的“能量开关”？DMP2035UVT-13正是为此而生！这颗来自Diodes Incorporated的P通道MOSFET，拥有20V耐压和高达7.2A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅35毫欧@4.5V），能显著减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它专为严苛环境打造，符合AEC-Q101车规标准，工作温度横跨-55°C至150°C，确保在汽车电子或工业应用中的卓越可靠性。采用微小的TSOT-26封装，为您节省宝贵的电路板空间，同时其低至1.8V的驱动电压让您能轻松与各类低压微处理器直接对接，简化设计流程。选择DMP2035UVT-13，就是为您的产品选择了一颗强劲、可靠且易于驾驭的“动力之心”。

• 型号:DMP2035UVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23.1 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• DMP2035UVT-13，Diodes产品一站式供应商。