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还在为寻找一颗既能承载大电流又足够小巧可靠的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP2035UVTQ-7就是为您而来的答案。这颗芯片能轻松担当您系统中的高效电源开关或负载开关角色，其7.2A的强大电流处理能力和低至35毫欧的导通电阻，让您的设备能量传输更顺畅，功耗更低，续航更持久。

它采用先进的MOSFET技术，在仅1.8V的低驱动电压下即可高效开启，让您能轻松兼容各类低压微控制器，简化设计。同时，其优异的栅极电荷特性确保了快速平滑的开关动作，有效减少开关损耗和噪声，提升系统整体效率。无论是用于便携设备的电源路径管理，还是汽车电子中的功率分配，它都能让您的产品运行更冷静、更可靠。

• 型号:DMP2035UVTQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23.1 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• DMP2035UVTQ-7，Diodes产品一站式供应商。