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还在寻找一颗能兼顾大电流与微型封装的MOSFET吗？DMP2036UVT-13正是为您而来的答案。这颗P沟道MOSFET能在紧凑的TSOT-26封装内，提供高达6A的连续电流处理能力，让您在设计超薄笔记本、高端智能手机或便携式医疗设备时，轻松突破空间限制，实现更高功率密度的电源管理。

它就像您电路中的高效“电能开关”，以极低的导通损耗，确保每一份电力都被精准、高效地输送至负载端。这不仅意味着更长的电池续航，也带来了更低的发热和更高的系统可靠性。选择它，就是选择了一种让设计更简洁、性能更强劲、产品更具竞争力的高效路径。

• 型号:DMP2036UVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:-
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:-
• 技术:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 供应商器件封装:-
• 封装/外壳:-
• DMP2036UVT-13，Diodes产品一站式供应商。