我们为全球各个行业提供Diodes DMP2039UFDE-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能兼顾高性能与小体积的P沟道MOSFET吗？DMP2039UFDE-7正是您的理想答案。它能让您轻松实现高效的负载开关与电源路径管理，其6.7A的连续电流能力和低至27毫欧的导通电阻，显著降低了功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更持久。

这颗芯片采用先进的U-DFN2020-6超薄封装，为您节省宝贵的PCB空间，特别适合空间受限的便携式设备。同时，它支持低至1.8V的栅极驱动电压，与现代微控制器无缝对接，让您的设计更加简洁高效。无论是用于电池保护、电源切换还是电机控制，DMP2039UFDE-7都能以出色的可靠性和稳定性，助您一臂之力。

• 型号:DMP2039UFDE-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 25V 6.7A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:25 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:27 毫欧 @ 6.4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:48.7 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2530 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:800mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
• DMP2039UFDE-7，Diodes产品一站式供应商。