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还在为电源路径上的开关损耗和空间占用而烦恼吗？DMP2040UFDF-7正是为您而来的高效解决方案。这颗P沟道MOSFET能为您轻松驾驭高达13A的负载电流，其卓越的32毫欧低导通电阻，能显著降低功率损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、能效比更高，直接助力提升终端产品的续航和可靠性。

它采用先进的U-DFN2020-6微型封装，面积仅如指尖般大小，却能承受1.8W的功率耗散，完美解决了高功率密度设计中的空间矛盾。无论是用于负载开关、电池保护还是电机控制，它都能让您的电路板布局更灵活，产品设计更轻薄。选择它，就是选择了一种让电源管理更简单、更高效、更可靠的设计哲学。

• 型号:DMP2040UFDF-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 13A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:32 毫欧 @ 8.9A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:834 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.8W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMP2040UFDF-7，Diodes产品一站式供应商。