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您是否正在寻找一颗能大幅提升系统效率、同时保持设计简洁的P沟道MOSFET？DMP2040USS-13正是您的理想答案。这颗芯片能为您提供高达15A（Tc）的强大电流承载能力，而其超低的33毫欧导通电阻，能显著减少功率损耗和发热，让您的设备运行更凉爽、更持久。

它采用先进的MOSFET技术，具备20V的耐压和宽达-55°C至150°C的工作温度范围，确保在各种严苛环境下稳定可靠。更值得一提的是，其低至2.5V的驱动电压和极小的栅极电荷，让您能够轻松搭配微控制器或低电压逻辑电路，实现高效、快速的负载开关与电源路径管理，从而简化设计，加速产品开发进程。

• 型号:DMP2040USS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 7A/15A 8SO T\\u0026R 2
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Ta），15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:33 毫欧 @ 8.9A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:834 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:800mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMP2040USS-13，Diodes产品一站式供应商。