还在为电路中的功率开关选型犹豫不决吗?让DMP2040UVT-7来为您解决难题!这颗来自Diodes Incorporated的P沟道MOSFET,以其高达13A的连续漏极电流承载能力,让您轻松驾驭各种高电流应用场景,无论是电源路径管理还是负载切换,都能高效稳定运行。
采用紧凑的TSOT26封装,它为您节省了宝贵的电路板空间,同时优异的散热设计确保了在严苛环境下的可靠表现。选择它,就是选择了一个能让您的设计更简洁、性能更强劲、开发更高效的解决方案。
- 型号:DMP2040UVT-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:TSOT-26
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 20V TSOT26
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A(Ta),13A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):NHD-1.5-128128G,SSD1357
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):8.6 nC @ 4.5 V
- Vgs(最大值):±12V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):834 pF @ 10 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):1.2W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TSOT-26
- 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
- DMP2040UVT-7,Diodes产品一站式供应商。