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还在为您的紧凑型设备寻找一颗既省空间又动力十足的“心脏”吗？DMP2042UCB4-7 P沟道MOSFET就是您的理想答案。它能在仅1.0mm x 1.0mm的微型封装内，为您提供高达4.6A的电流处理能力和20V的耐压，轻松胜任智能手机、可穿戴设备等应用中的负载开关和电源路径管理任务。

这颗芯片的核心价值在于让您的设计更高效、更可靠。其优异的低导通电阻特性，能大幅降低导通损耗，直接提升终端设备的续航时间并减少发热。同时，极低的栅极电荷确保了快速平滑的开关性能，让您的电源系统响应更迅捷，整体运行效率更高。选择它，意味着您能为产品赢得宝贵的PCB空间、更优的能效表现以及从-55°C到150°C的宽温工作保障。

• 型号:DMP2042UCB4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-WLB1010-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 4.6A U-WLB1010-4
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 1A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:-6V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:218 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-WLB1010-4
• 封装/外壳:4-UFBGA，WLBGA
• DMP2042UCB4-7，Diodes产品一站式供应商。