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还在为寻找一款能在狭小空间内高效管理电源的MOSFET而烦恼吗？DMP2043UCA3-7正是您期待的答案。这颗P沟道MOSFET能为您做什么？它能让您的便携设备充电更快、续航更久、发热更少！凭借仅45毫欧的低导通电阻和高达4.2A的电流承载能力，它能显著降低功率损耗，将更多能量高效地输送给负载。

它采用超小的X2-DSN1010-3封装，轻松集成到空间受限的设计中，同时其宽广的-55°C至150°C工作温度范围确保了在各种环境下的稳定表现。无论是用于负载开关、电源路径管理还是电池保护电路，DMP2043UCA3-7都能以卓越的性能，让您的产品设计更高效、更可靠、更具市场竞争力。

• 型号:DMP2043UCA3-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DSN1010-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 4.2A X2DSN1010-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 1A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.9 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:-20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:425 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:650mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DSN1010-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
• DMP2043UCA3-7，Diodes产品一站式供应商。