您是否正在寻找一颗能大幅简化设计、同时提升系统效率的功率开关?DMP2045U-7正是为您而来的解决方案。作为一款P沟道MOSFET,它拥有20V耐压和4.3A的强大电流承载能力,却能被轻松驱动(最低仅需1.8V),让您的电源切换动作既快速又干净。
这颗芯片的核心魅力在于其极低的导通电阻(仅45毫欧@4.5V),这意味着在相同电流下,它的能量损耗更少,发热更小,直接让您的设备运行更高效、更持久。其微小的SOT-23封装,为您节省宝贵的PCB空间,非常适合集成到各类便携式消费电子、智能穿戴设备及紧凑型工业模块中。选择DMP2045U-7,就是选择了一种让设计更轻松、让产品更具竞争力的可靠路径。
- 型号:DMP2045U-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-23-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.3A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):45 毫欧 @ 4A,4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):6.8 nC @ 4.5 V
- Vgs(最大值):±8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):634 pF @ 10 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):800mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-23-3
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- DMP2045U-7,Diodes产品一站式供应商。