您是否希望为您的电源管理设计找到一颗“小而强”的核心开关?DMP2045UQ-7正是这样一款能令您事半功倍的P沟道MOSFET。它让您轻松驾驭高达4.3A的电流,同时凭借低至45毫欧的导通电阻,显著减少功率损耗和发热,直接提升终端产品的能效与可靠性。
这颗芯片专为严苛环境打造,符合汽车级AEC-Q101标准,工作温度范围宽达-55°C至150°C,是汽车电子、便携设备等应用中负载开关、电池保护的安心之选。其SOT-23超小封装和低驱动电压特性,更能让您高效节省PCB空间,并简化驱动电路设计,助您快速实现更紧凑、更高效的系统方案。
- 型号:DMP2045UQ-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-23-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.3A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):45 毫欧 @ 4A,4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):6.8 nC @ 4.5 V
- Vgs(最大值):±8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):634 pF @ 10 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):800mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-23-3
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- DMP2045UQ-7,Diodes产品一站式供应商。