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您是否正在寻找一颗能大幅提升系统效率、同时又能节省电路板空间的“能量开关”？DMP2047UCB4-7正是您期待的答案。这颗P沟道MOSFET拥有高达4.1A的电流处理能力和低至47毫欧的导通电阻，让您的电源路径管理或负载开关应用损耗更低、能效更高，直接为终端产品带来更持久的续航表现。

它采用先进的U-WLB1010-4超小型封装，在几乎不占用空间的前提下，提供了强大的功率处理能力，完美契合智能手机、便携式设备及高密度模块对微型化的极致追求。其优异的开关特性（栅极电荷仅2.3nC）和宽工作温度范围，更能确保您的设计在各种环境下稳定、高效地运行，让产品可靠性迈上新台阶。

• 型号:DMP2047UCB4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-WLB1010-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 4.1A U-WLB1010-4
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:47 毫欧 @ 1A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.3 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:-6V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:218 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-WLB1010-4
• 封装/外壳:4-UFBGA，WLBGA
• DMP2047UCB4-7，Diodes产品一站式供应商。