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您是否在为设计寻找一颗能“以一当二”、高效节省空间的功率开关？DMP2060UFDB-13正是您的理想选择。这颗双P沟道MOSFET阵列，将两个独立的20V/3.2A MOSFET集成在微小的6-UDFN封装内，让您轻松实现紧凑的PCB布局，为产品小型化注入强大动力。

它的核心价值在于卓越的能效表现。低至90毫欧的导通电阻显著降低了功率损耗，让电能传输更高效，直接帮助您的设备减少发热、延长续航。同时，优化的开关特性（低栅极电荷和阈值电压）确保了快速响应，特别适合用于便携设备的电源路径管理和负载开关，让您的系统供电控制既精准又节能。

• 型号:DMP2060UFDB-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.2A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 2.9A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18nC @ 8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:881pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1.4W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（B 类）
• DMP2060UFDB-13，Diodes产品一站式供应商。