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还在为复杂的双路P沟道开关设计而烦恼吗？DMP2065UFDB-7为您提供了一站式的高效解决方案。这颗芯片集成了两个性能优异的P沟道MOSFET，让您能够轻松实现紧凑的负载开关、电源选择或电池隔离电路，大幅节省宝贵的PCB空间。

它拥有20V的耐压和4.5A的强大电流处理能力，配合低至50毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，提升系统整体能效。其1V的低栅极阈值和9.1nC的栅极电荷，确保它能够被微控制器或电源管理芯片轻松、快速地驱动，实现高效精准的电源控制。无论是用于便携设备延长续航，还是在高密度设计中简化布局，它都是您的理想选择。

• 型号:DMP2065UFDB-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.1nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:752pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.54W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（B 类）
• DMP2065UFDB-7，Diodes产品一站式供应商。