还在为空间有限的PCB布局而烦恼吗?DMP2066LDM-7正是您理想的解决方案。这颗P沟道MOSFET在微小的SOT-26封装内,集成了20V耐压和4.6A的强劲电流处理能力,让您轻松实现高效的负载开关与电源管理。
它凭借低至40毫欧的导通电阻,能显著降低功率损耗和发热,直接提升您终端产品的能效与续航。同时,其宽工作温度范围和优异的开关特性,确保您的设计在各种环境下都能稳定可靠地运行。选择它,就是为您的产品选择了一份高效与安心的保障。
- 型号:DMP2066LDM-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-26
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.6A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):40 毫欧 @ 4.6A,4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):10.1 nC @ 4.5 V
- Vgs(最大值):±12V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):820 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):1.25W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-26
- 封装/外壳:SOT-23-6
- DMP2066LDM-7,Diodes产品一站式供应商。