还在为电路中的双路开关控制寻找简洁高效的方案吗?DMP2066LSD-13正是为您量身打造。这颗双P沟道MOSFET阵列,能同时、独立地控制两路负载,其逻辑电平门设计让您可以直接用微控制器轻松驱动,极大简化了您的电路设计。
它拥有高达5.8A的连续电流承载能力和低至40毫欧的导通电阻,确保在大电流通过时损耗极低,发热更少,从而让您的系统运行更高效、更凉爽。无论是用于便携设备的电源管理,还是电机驱动中的方向控制,它都能提供稳定可靠的性能,让您的产品在能效和可靠性上脱颖而出。
- 型号:DMP2066LSD-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:8-SO
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2P-CH 20V 5.8A 8SO
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 配置:2 个 P 沟道(双)
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压(Vdss):20V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.8A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):40 毫欧 @ 4.6A,4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):10.1nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):820pF @ 15V
- 功率 - 最大值:2W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SO
- DMP2066LSD-13,Diodes产品一站式供应商。