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还在为寻找一颗既能承受大电流又足够小巧的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP2066LSN-7正是为您的高效设计而生。它能轻松处理高达4.6A的连续电流，同时凭借低至40毫欧的导通电阻，显著降低导通损耗，让您的电源路径更高效、更凉爽。

这颗芯片能为您做什么？它让您的负载开关、电源路径管理和电机驱动电路设计变得前所未有的简洁。其2.5V的低驱动门槛，让您可以直接用微控制器GP口驱动，省去复杂的电平转换电路。紧凑的SC-59-3表面贴装封装，为您节省宝贵的PCB空间，是追求高功率密度和迷你化设计的理想选择。

• 型号:DMP2066LSN-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SC-59-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 4.6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.1 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:820 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.25W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SC-59-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMP2066LSN-7，Diodes产品一站式供应商。