我们为全球各个行业提供Diodes DMP2066LVT-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在设计需要紧凑、高效功率开关的方案吗？DMP2066LVT-13正是为您而来！这颗P沟道MOSFET能在微型TSOT-26封装内，为您提供高达4.5A的连续电流处理能力，并以低至45毫欧的导通电阻，大幅减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它拥有20V的耐压和宽泛的工作温度范围，确保在各种应用环境中稳定可靠。更关键的是，其低至2.5V的驱动门槛，让您能轻松搭配现代低电压微处理器，实现高效节能的电源路径控制。无论是用于负载开关、电池反接保护还是电源分配，它都能让您的设计事半功倍，轻松提升产品竞争力。

• 型号:DMP2066LVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 4.5A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 4.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.4 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1496 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• DMP2066LVT-13，Diodes产品一站式供应商。