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还在为您的便携设备寻找一颗“强力又省心”的电源开关吗？DMP2066UFDE-7正是您期待的答案。这颗P沟道MOSFET能为您高效地管理电源通路，无论是负载开关、电池保护还是电源隔离，它都能以极低的导通损耗（仅36毫欧）完成任务，让您的系统能效大幅提升，发热显著降低。

它能让您的设计工作变得无比轻松。其1.8V的低门槛驱动电压，让您可以直接用常见的微处理器GPIO口轻松驱动，无需复杂的电平转换电路。同时，小巧的U-DFN2020-6封装为您节省了板上每一寸珍贵空间，助力实现更纤薄的产品设计。选择它，就是选择了一种高效、可靠且易于实现的电源管理方案。

• 型号:DMP2066UFDE-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 6.2A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:36 毫欧 @ 4.6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.4 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1537 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:660mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
• DMP2066UFDE-7，Diodes产品一站式供应商。