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DMP2067LVT-7 零件图片(仅供参考)

DMP2067LVT-7
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DMP2067LVT-7 规格参数

还在寻找一颗能兼顾高效能与小体积的P沟道MOSFET吗?DMP2067LVT-7就是您的理想答案。这颗芯片能为您做什么?它能让您轻松实现高达4.2A的负载开关控制,同时凭借低至45毫欧的导通电阻,大幅减少功率损耗和发热,让您的便携设备运行更凉爽、续航更持久。

其紧凑的TSOT-26封装,让您能在极其有限的空间内进行布局,完美适用于手机、穿戴设备等对尺寸苛刻的应用。更值得一提的是,它拥有宽泛的工作温度范围和优异的开关特性,确保您的产品在各种环境下都能稳定高效地工作。选择它,就是为您的设计注入一份高效与可靠的强大动力。

  • 型号:DMP2067LVT-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:TSOT-26
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):45 毫欧 @ 4.5A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):28 nC @ 8 V
  • Vgs(最大值):±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1575 pF @ 10 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):1.2W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:TSOT-26
  • 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
  • DMP2067LVT-7,Diodes产品一站式供应商。
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DMP2067LVT-7 基本参数:

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