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还在为复杂的电源开关设计头疼吗？让DMP2069UFY4-7来帮您简化一切！这颗来自Diodes的P沟道MOSFET，是专为空间受限、追求高效的应用而生的得力助手。

它能在仅2.0mm x 1.5mm的微型封装内，为您提供高达2.5A的电流切换能力，同时保持惊人的低损耗（导通电阻仅54mΩ）。这意味着您可以在TWS耳机、智能穿戴、便携设备中轻松实现高效的负载开关和电源路径管理，显著提升电池续航。其1.8V的低驱动电压让您能直接用微处理器的GPIO口控制，省去额外电路，让设计更简洁，成本更优。

选择它，就是选择了一种让产品更轻薄、更高效、更可靠的智能方案。立即采用DMP2069UFY4-7，为您的创新设计注入强劲而精巧的动力核心！

• 型号:DMP2069UFY4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:DFN2015H4-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A DFN2015H4-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:54 毫欧 @ 2.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.1 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:214 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:530mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DFN2015H4-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
• DMP2069UFY4-7，Diodes产品一站式供应商。