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还在为有限的电路板空间和苛刻的能效要求头疼吗？DMP2070UCB6-7正是为您解忧的利器！这颗由Diodes Incorporated推出的P沟道MOSFET，集20V耐压与2.5A电流能力于一身，却拥有仅70毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关损耗，让您的便携设备续航更持久，系统运行更凉爽。

它采用先进的U-WLB1510-6超微型封装，面积小巧至极，能为您节省宝贵的PCB空间，轻松实现更轻薄、更紧凑的产品设计。无论是用于电源路径管理、负载开关还是电池保护电路，它都能提供快速、高效的开关性能。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在各种环境下的稳定可靠，让您无后顾之忧。

简而言之，选择DMP2070UCB6-7，就是选择了一种高效、节省空间且可靠的电源开关解决方案。它将帮助您轻松优化设计，提升产品整体竞争力，是智能穿戴、移动设备及IoT应用的理想心脏部件。

• 型号:DMP2070UCB6-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-WLB1510-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A U-WLB1510-6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 1A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.9 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:210 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:920mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-WLB1510-6
• 封装/外壳:6-UFBGA，WLBGA
• DMP2070UCB6-7，Diodes产品一站式供应商。