还在为寻找一颗既能高效开关又节省空间的P沟道MOSFET而烦恼吗?DMP2075UVT-13正是为您量身打造的解决方案。它能为您做什么?它让您轻松实现高达3.8A电流的精密控制,凭借低至75毫欧的导通电阻,大幅降低导通损耗,直接提升您设备的能效和续航能力。
这颗芯片采用超紧凑的TSOT-26封装,完美适配高密度电路板设计,为您节省宝贵的布局空间。其优异的电气特性,如低栅极电荷和宽工作温度范围,确保您的应用从便携消费电子到工业控制,都能获得稳定、可靠的性能表现。选择它,就是选择高效与省心。
- 型号:DMP2075UVT-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:TSOT-26
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 20V 3.8A TSOT26 T\\u0026R
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):75 毫欧 @ 4A,4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):8.8 nC @ 4.5 V
- Vgs(最大值):±8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):642 pF @ 10 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):1.2W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TSOT-26
- 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
- DMP2075UVT-13,Diodes产品一站式供应商。