我们为全球各个行业提供Diodes DMP2075UVT-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为有限的电路板空间和严苛的能效要求而烦恼吗？让DMP2075UVT-7为您开启高效电源管理的新篇章。这颗P沟道MOSFET是专为空间敏感型应用设计的能量控制大师，它能以高达3.8A的电流和仅75毫欧的低导通电阻，让您的负载开关或电机驱动电路运行得更冷静、更持久。

它采用超薄的TSOT-26封装，轻松融入最紧凑的设计中，同时其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了在各种环境下的卓越可靠性。无论是提升便携设备的续航，还是优化物联网节点的性能，DMP2075UVT-7都能让您的设计事半功倍，轻松实现高性能与高可靠性的完美平衡。

• 型号:DMP2075UVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 3.8A TSOT26 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:75 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:642 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• DMP2075UVT-7，Diodes产品一站式供应商。