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还在为设备功耗和空间纠结吗？让DMP2077UCA3-7来帮您轻松破局！这颗P沟道MOSFET是专为高效、紧凑型电子设备打造的电源管理利器。它能在低至1.5V的电压下被高效驱动，直接兼容您的低压主控芯片，让系统设计更简单，功耗更低。

它集高性能与微型化于一身，4A的电流承载能力和仅78毫欧的低导通电阻，确保电源通路高效顺畅，把能量损耗和发热降到最低。同时，其超小的X4-DSN1006-3封装为您节省大量PCB空间，是智能手机、TWS耳机、便携式仪表等空间受限产品的理想选择。选择它，就是选择了一种更高效、更可靠的设计方案。

• 型号:DMP2077UCA3-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X4-DSN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 4A X4-DSN1006-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，8V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:78 毫欧 @ 500mA，8V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.34 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:143 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:660mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X4-DSN1006-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
• DMP2077UCA3-7，Diodes产品一站式供应商。